无局放串联谐振试验装置的无局放耐压试验
无局放半导体器件在高电场下运行时,其耐压能力直接影响器件的可靠性和使用寿命。为了研究无局放半导体器件在高电场作用下的物理性质及耐压特性,需要建立相应的无局放耐压试验系统。本文主要介绍了一套无局放串联谐振试验装置及其进行的无局放耐压试验。
该试验装置采用串联谐振结构,由无源谐振电路和被测无局放半导体器件组成。无源谐振电路由电感L和电容C组成谐振电路,可以产生高频交流电场。被测无局放半导体器件置于电感线圈中心,实现了器件和高频电场的耦合。此外,装置还设置有高压直流电源,用于提供逆向偏压。
在实验中,首先将被测无局放半导体器件安装在试验装置中。然后,打开无源谐振电路产生高频交流电场,同时逐步增加直流电源的输出电压,形成逆向偏压。观察并记录随着逆向偏压增加,器件在何处发生破坏或电流增加突然。通过多组对比试验,可以获得器件在不同频率和温度条件下的平均破坏电压,进而评价其耐压性能。
该无局放耐压试验装置采用了串联谐振结构,实现了高频电场与器件的耦合,可以在模拟实际应用条件下测试器件的耐压特性。通过系统的无局放耐压试验,有助于深入研究无局放半导体器件的物理机制,为其可靠性设计提供参考。该试验装置的设计和实验方法在无局放器件耐压研究中具有一定参考价值。
